求教用HFSS仿真無源平面電感
對(duì)于一個(gè)無源電感，類似于full_book中的spiral inductor，只是在SiO2層上面多加了一層無源介質(zhì)層
具體參數(shù)如下：
最下面一層是Si，厚度525um
上面成長(zhǎng)一層SiO2，厚度0.5um
然后在上面覆蓋一層介質(zhì)層，厚度10um
在介質(zhì)層上面用銅作平面電感，厚度10um
我用HFSS仿真2G，掃描0.1-10G，網(wǎng)格數(shù)設(shè)置為10w，觀察電感的Q值
發(fā)現(xiàn)仿真結(jié)果有以下幾個(gè)問題：
1。在低頻0.1-1G時(shí)，仿真曲線不平滑，有凸起
2。增加介質(zhì)層厚度（從10->15->20->25->30等），按理Q應(yīng)該增加，但仿真中10與15結(jié)果相近，20與25結(jié)果相近，以此類推。
我老板給出的結(jié)論是網(wǎng)格的問題，但是對(duì)于525um以及0.5um和10um，該如何分別設(shè)置網(wǎng)格比較合適，我曾簡(jiǎn)單試過，但沒有理論根據(jù)，ms解決不了問題
下圖是仿真的結(jié)果，麻煩大家出出主意，我是一個(gè)HFSS新手，對(duì)于電磁場(chǎng)理論知道的也不多，還請(qǐng)大家多多幫忙討論討論，謝謝了：）
最好能夠附一個(gè)仿真源文件！
至于你說的，我想跟設(shè)置應(yīng)該會(huì)有關(guān)系！不過，像這樣晶體管級(jí)的設(shè)計(jì)，設(shè)置不能粗糙，網(wǎng)格劃分精細(xì)點(diǎn)，犧牲一些仿真時(shí)間是必要的。
題外話：
這個(gè)是世界級(jí)的課題！
如果能夠做出Q值超過100的半導(dǎo)體工藝螺旋電感，你可以去申請(qǐng)諾獎(jiǎng)了！
謝謝樓上的牛人：）
我將仿真文件貼上，供大家參考
現(xiàn)在的問題還是低頻時(shí)各種厚度介質(zhì)層的曲線都重合
我準(zhǔn)備分段仿真查看一下，即0.1-1G，1-3G，3-10G，中心點(diǎn)分別是0.5，2和6.5G
對(duì)于網(wǎng)格的劃分
我才用的是自動(dòng)劃分
也曾用過手工分結(jié)構(gòu)劃分
但是結(jié)果變化不明顯
很有可能是我手工劃分得不對(duì)
因?yàn)槲覍?duì)有限元仿真及網(wǎng)格劃分等知道得太少了，這是第一次做。。
還請(qǐng)大家?guī)兔纯?，謝謝了：）
btw：平面電感有做到100的嗎？我看文獻(xiàn)都沒看到，我能做到25老板就可以讓我畢業(yè)了：（
另外還加了一個(gè)文獻(xiàn)的結(jié)果
呵呵，牛人不敢，道聽途說的！
據(jù)說，目前最好的是30幾！
曾經(jīng)有仿真過平面電感，（基于PCB的）！
建議你采用八邊型的，方形的磁場(chǎng)分布非常的不均勻。
像你這個(gè)尺寸這么大的要實(shí)現(xiàn)25的Q值應(yīng)該不難！
文獻(xiàn)上ms就是30
關(guān)鍵是老板要求仿真一定要準(zhǔn)確，才能跑工藝流水
你這個(gè)應(yīng)該是半導(dǎo)體工藝的吧！
那線圈、過孔為什么還用銅，半導(dǎo)體工藝可以實(shí)現(xiàn)嗎？（這個(gè)在RFIC里面的做法我不是很清楚，還請(qǐng)多多指教！因?yàn)閭鹘y(tǒng)的半導(dǎo)體工藝是鋁做金屬導(dǎo)體的，過孔還真不知道怎么處理，應(yīng)該不是銅吧！）
還有，你改變介質(zhì)厚度，過孔高度，有沒有相應(yīng)跟著改變？
是半導(dǎo)體封裝工藝
改變介質(zhì)厚度
過孔絕對(duì)高度改變，相對(duì)不變
謝謝，有點(diǎn)收獲了
lZ 是參照的哪篇文獻(xiàn)啊，能不能給個(gè)名字啊
