HFSS使用WAVE PORT的時候端口所在面應該使用什么邊界條件

HFSS使用WAVE PORT的時候端口所在面應該使用什么邊界條件？ 因為之前嘗試使用LUMPER PORT端口，輻射邊界是包圍電路的air腔體 在使用WAVE PORT，腔體也使用輻射邊界的時候得出的S參數(shù)跟LUMPER PORT的S參數(shù)差異不小 請問使用WAVE PORT的時候端口所在面是否應該使用輻射邊界？這種差異是因為所在端口處的輻射效應引起的嗎？這樣的結果是否是準確的 因為看hfss的一個full book里面的一個via模型，也是按WAVE PORT設置的，電路板的邊界與空氣腔體全接觸，使用的也是輻射邊界

另外，好像是有PML邊界的時候不允許使用端口所在面 它跟輻射邊界有什么區(qū)別么？

希望有經(jīng)驗的朋友指點指點，一直比較困惑

哈哈，別怪我搗亂，我是來頂貼的，我也想知道這個問題，呵呵

“wave port是以平面能量來計算，lump port是以V/I來計算，理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。”

有介紹是這么說的，但如果存在差異問題可能在哪里呢？

我也遇到了同樣的問題，仿真了一個30GHz的帶通濾波器，使用波端口時仿真結果比較好，但是加了集總端口時效果變差了，不知道是什么原因？！請各位大蝦指點迷津??！