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ADS中做功分器版圖仿真時(shí)隔離電阻的定義

文章來源: 互聯(lián)網(wǎng)    錄入: mweda.com    點(diǎn)擊數(shù):

在做1分4微帶型Wilkinson功分器版圖仿真時(shí)，隔離度在-18db左右，除S11外反射系數(shù)在-13左右，S11有-30db，但插損和相位效果比較好，插損在-6.1--6.3間，不知是否是隔離電阻定義的不對，首先是100歐的隔離電阻在Momentum中仿真時(shí)是不是需要轉(zhuǎn)換單位？也就是說TFR的阻值不是100 ？在有在Substrate中如何定義電阻所在的層？是不是與導(dǎo)體cond同層？resi層中電阻的值是不是也要換算？單位ohm/square與隔離電阻的100歐之間是什么關(guān)系？仿真時(shí)短口設(shè)置有沒有特殊要求？問了老多問題請大家?guī)兔�，多謝了！

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  • 網(wǎng)友回復(fù)

    謝謝哈
    看到這些，自己可以認(rèn)真學(xué)習(xí)下~~

  • 網(wǎng)友回復(fù)

    首先回答第一個(gè)問題，如果是100歐姆的電阻，是要轉(zhuǎn)換單位的，轉(zhuǎn)換成歐姆每平方，要看你電阻加上去后沒有和功分器相連的部分的面積，換算一下
    第二個(gè)問題，電阻不是放在cond層的，要在momentum中另外定義層，有幾個(gè)電阻定義幾個(gè)層，然后再與cond層strip一下
    最后的問題，端口設(shè)置沒有啥要求
    以上回答不知道是否解答了你所有的疑問？

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