微帶天線的側(cè)饋

微帶天線設(shè)計(jì)中采用側(cè)饋的方式：
1.饋電port就是微帶的末端處垂直于介質(zhì)板且高度與介質(zhì)板相同的一個(gè)矩形嗎？
2.積分線如何設(shè)置？是否為矩形的中位線，由接觸地的一端指向接觸微帶的一端？

完全正確，你自己試一下不就知道了

仿真出來(lái)有結(jié)果 但是不理想 可能是模型有問(wèn)題吧。
我仿的是一個(gè)1/4波長(zhǎng)單級(jí)子天線，駐波比總是在3左右，增益在-20dB左右，。不知該如何修正下，可以降低VSWR，提高G。

port要在微帶一邊比介質(zhì)稍微高出來(lái)一些吧為防止能量泄露

剛試過(guò)了 port加高一點(diǎn)也還是不行
VSWR會(huì)稍微降低點(diǎn)，但增益就會(huì)相應(yīng)增大
我對(duì)天線的理論知識(shí)不是很了解 不知道是不是根本建模就有問(wèn)題
還請(qǐng)各位多多指正哦～
前面我的回復(fù)帖里有我的建模，希望有人可以幫我看看

看過(guò)了，y方向邊界設(shè)置有問(wèn)題，都貼上介質(zhì)板了。還有，不知你為什么用Driven Terminal的仿真類型，用Driven Modal就可以了。

joabery 謝謝你的幫助！
y方向邊界設(shè)置有什么問(wèn)題？怎么貼上介質(zhì)板了？我不是很理解。希望你能說(shuō)得詳細(xì)點(diǎn)，謝謝！
采用“Driven Terminal”是因?yàn)榭吹接脩羰謨?cè)上有個(gè)關(guān)于縫隙天線的例子，微帶饋電采用的是“Driven Terminal ”，因此我也仿照它這樣設(shè)置了。

可否說(shuō)一下這兩個(gè)類型的區(qū)別?。?p class="mwqa">這個(gè)問(wèn)題我也不清楚 希望知道的朋友幫忙解答
關(guān)于這個(gè)模型也希望有人可以指正 謝謝！

搜了一下，這個(gè)網(wǎng)頁(yè)有一些相關(guān)的論述。
http://imw.mwhrf.com/SupeSite/?uid-12582-action-viewspace-itemid-1597