輻射發(fā)射測試場地介紹
為保證電磁兼容測試的可靠性和準(zhǔn)確性,電磁兼容測試對測試環(huán)境有嚴(yán)格的要求,一般在電磁兼容測試標(biāo)準(zhǔn)中對測試場地的各種參數(shù)都有明確的規(guī)定。下面簡要介紹電磁兼容測試場地。
一、開闊場:
開闊場是指受試設(shè)備(EUT)在露天測試現(xiàn)場(OATS)中進(jìn)行測量,是國際CISPR規(guī)定的方法。它要求開闊場應(yīng)是一個平坦、空曠、電導(dǎo)率均勻且良好,無反射物的橢圓形場地,具體要求請參考ANSI C63.7 CISPR16標(biāo)準(zhǔn)。
上海電器設(shè)備檢驗所標(biāo)準(zhǔn)EMC開闊場(OATS)
1.1、開闊場測量原理:
利用開闊場進(jìn)行輻射發(fā)射與接收測量,是以空間直射波與地面反射波在接收點的矢量迭加理論為基礎(chǔ)。測試場在上方、左右、前后都不存在反射的條件下,接收天線收到的場為直射波與反射波的矢量和。由于相位關(guān)系,直射波可能會被反射波抵消一部分,所以不一定能接收到EUT發(fā)射的最大場強。對于不同的測試頻率,能獲得最大場強的接收天線的是不同的,例如3米法是4米范圍,10米法是6米范圍掃描。
1.2、開闊場的應(yīng)用場合:
有些設(shè)備有特殊的空間要求,暗室的性能都是以開闊場為參考的,開闊場是測試數(shù)據(jù)對比最原始的參考場地,很多天線校準(zhǔn)必須在開闊場。
1.3、開闊場面臨的挑戰(zhàn):
盡管開闊場一直被國際公認(rèn)為最科學(xué)的、合理的、最理想的測試場地,并被規(guī)定為最后判定依據(jù)。然而要建造一個符合標(biāo)準(zhǔn)要求的開闊場是非常困難的,主要是因為開闊場受氣候的影響較大,其次是隨著信息技術(shù)的發(fā)展,空間電磁環(huán)境越來越惡劣,很難找到純凈的開闊場。因此,國內(nèi)外電磁兼容已很少使用開闊場進(jìn)行試驗。
二、電波暗室:
由于隨著環(huán)境電磁噪聲強度和密度的不斷增強,一般很難找到符合標(biāo)準(zhǔn)要求的開闊場。目前電波暗室(Anecholc Chamber)廣泛地用來模擬開闊場進(jìn)行輻射發(fā)射和輻射敏感度測試。電波暗室又稱電波消聲室,或電波無反射室。電波暗室有兩種結(jié)構(gòu)形式:電磁屏蔽半電波暗室和全電波暗室。
2.1、半電波暗室:
電磁屏蔽半電波暗室由電磁屏蔽室加射頻吸波材料組合而成,側(cè)面和室頂敷設(shè)射頻吸波材料,地板采用金屬地板的導(dǎo)電面,模擬開闊試驗場,這種屏蔽室稱為半電波暗室。
電磁屏蔽半電波暗室中的測試環(huán)境是模擬開闊試驗場的傳播條件,因此暗室尺寸應(yīng)以開闊試驗場的要求為依據(jù)。其測試距離R為3m、10m。吸波材料的選擇直接關(guān)系到暗室的性能,常用的吸波材料有單層鐵氧體片、角錐形含碳海棉復(fù)合吸波材料和角錐形含碳苯板復(fù)合吸波材料。
2.2、全電波暗室:
電波暗室的六個內(nèi)表面全部敷設(shè)射頻吸波材料的稱為全電波暗室,模擬自由空間。主要應(yīng)用于1GHZ以上的高頻輻射測試,以及輻射抗擾度測試。
2.3、電波暗室的構(gòu)造圖:
2.4、電波暗室的尺寸:
標(biāo)準(zhǔn)10米法電波暗室
標(biāo)準(zhǔn)966 3米法電波暗室
10米電波暗室與3米法電波暗室的區(qū)別:
-
天線中心到EUT的距離不同
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標(biāo)準(zhǔn)限值不同
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測試效率不同
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建造成本差異較大
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EUT內(nèi)發(fā)射天線與測量天線產(chǎn)生共振不同,某頻點測量結(jié)果可能存在較大異。
2.5、電波暗室的技術(shù)指標(biāo)要求:
電波暗室的主要性能指標(biāo):屏蔽效能、場地均勻性(FU)、歸一化場地衰減(NSA)、 傳輸損耗(TL)、靜區(qū)尺寸、諧振頻率、接地阻抗、駐波比(VSWR)等。
歸一化場地衰減(NSA):
場地衰減是測量用場地的一個固有參數(shù),場地衰減與地面的不平度、地面的電參數(shù)、周圍環(huán)境、收發(fā)天線之間的距離、天線類型和極化方向、收發(fā)天線端口的阻抗等息息相關(guān)。場地衰減定義為:輸入到發(fā)射天線上的功率與接收天線負(fù)載上所獲得的功率之比。CISPR16-1、EN50147-2、ANSI C63.4、GJB2926標(biāo)準(zhǔn)要求:在30MHz~18GHz頻率范圍內(nèi),當(dāng)測量的垂直與水平的N?S?A?值在歸一化場地衰減理論值的±4dB之內(nèi),則測試場地被認(rèn)為是合格的。歸一化場地衰減只用來表明測試場地的性能,與天線或測量儀器并沒有多大的關(guān)系,是衡量測試場地性能的重要指標(biāo)之一。
場地均均性(FU):
?該指標(biāo)是為在暗室中進(jìn)行電磁輻射敏感度測量而制定的。敏感度測量需在被測設(shè)備(EUT)處產(chǎn)生規(guī)定的場強(3~10V/m),考察是否會引起EUT工作性能下降。由于(EUT)表面有一定范圍,所以在靜區(qū)地板上方0.8m高度規(guī)定了一個1.5m×1.5m的假想垂直平面,即均勻區(qū),在這個平面中場的變化非常小,在26MHz~18GHz頻率范圍內(nèi),要求該區(qū)域內(nèi)75%的表面上的幅值偏差應(yīng)在標(biāo)稱值的0~+6dB范圍之內(nèi)。
屏蔽效能:
電波暗室的屏蔽性能用屏蔽效能來衡量。屏蔽效能是模擬干擾源置于屏蔽殼體外時,屏蔽體安裝前后的電場強度、磁場強度或功率的比值。暗室屏蔽效果不僅與屏蔽材料性能有關(guān),也與殼體上可能存在的各種不連續(xù)的形狀和孔洞有關(guān),例如屏蔽材料間的焊接縫隙、屏蔽門、暗室的通風(fēng)窗。
為了提高屏蔽效能,在對屏蔽鋼板焊接時,可最大限度的減少鋼板的變形,保持鋼板表面的平整度,保持整個殼體的電連續(xù)性。暗室的通風(fēng)窗采用截止波導(dǎo)式通風(fēng)窗,可以防止電磁能量的泄露,在安裝時必須與暗室墻壁有良好的、連續(xù)的電接觸。屏蔽門是暗室的主要進(jìn)出口,需要經(jīng)常開啟,所以門縫是影響屏蔽效能的重要部位?,F(xiàn)在一般采用指形彈片來改善門與門框的電氣接觸。兩層以上的簧片結(jié)構(gòu),可以使門縫處的泄露達(dá)到較高屏蔽效能要求的狀態(tài)。要達(dá)到較高的屏蔽效能,對焊縫、屏蔽門、通風(fēng)截止波導(dǎo)窗設(shè)計和制造都要嚴(yán)格要求。
EN50147-1、GB12190對電波暗室屏蔽效能要求如下:
ü10KHz~150KHz(磁場)≧70dB
ü150KHz~1MHz≧100dB
ü1MHz~1000MHz≧110dB
ü1GHz~18GHz≧100dB
傳輸損耗(TL):
它是描述電波暗室在高頻段特性的主要參數(shù),實際上就是在1GHz以上的場地衰減,在測試傳輸損耗時金屬地板也應(yīng)鋪設(shè)吸波材料,這時暗室可以模擬自由空間。標(biāo)準(zhǔn)CISPR16-1、EN50147-2、ANSI C63.4要求1GHz~18GHz傳輸損耗滿足±4dB。
電波暗室性能指標(biāo)與評價標(biāo)準(zhǔn):
評價指標(biāo) |
適用頻率范圍 |
相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) |
屏蔽效能 |
9KHz~18GHz |
GB12190 |
EN50147-1 |
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GJB2926 |
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歸一化場地衰減 |
30MHz~1GHz |
ANSI C63.4 |
EN50147-1 |
||
GB9254 |
||
GB/T6113.1 |
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傳輸損耗 |
1GHz~18GHz |
CISPR/A/342/CD 2002 |
場均勻性 |
26MHz~1GHz |
GB/T17626.3 |
26MHz~18GHz |
IEC61000-4-3 |
2.6、電磁屏蔽室:
電磁屏蔽室是對電磁場起隔離作用的設(shè)備,按標(biāo)準(zhǔn)要求許多試驗項目必須在屏蔽室內(nèi)完成。它是一個由低電阻金屬材料制成的封閉室體,利用電磁波在金屬體表面產(chǎn)生反射和渦流而起到屏蔽作用。當(dāng)它與大地連接后,同時起到靜電屏蔽作用