金屬氧化物壓敏電阻的基本結(jié)構(gòu)、工作原理及主要性能參數(shù)
一、概述
壓敏電阻(MOV,MetalOxideResistor)是目前在電氣、電子產(chǎn)品中使用最廣泛的雷擊電涌抑制器件,其利用金屬氧化物晶粒(主要是ZnO)和晶界層間的隧道效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)對瞬態(tài)過電壓的電壓鉗位抑制。壓敏電阻具有納秒級(jí)的響應(yīng)速度,并且具有瞬態(tài)電壓吸收能力與其體積成正比的特點(diǎn),容易做到很大的吸收容量,因此,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于雷擊浪涌、靜電放電、瞬態(tài)電快脈沖(EFT,Electrical Fast Transient)等過電壓的保護(hù)。
二、基本結(jié)構(gòu)和工作原理
壓敏電阻以氧化鋅為主要成分,添加微量的二氧化鉍、三氧化鈷、三氧化錳、三氧化銻等多種金屬氧化物,經(jīng)成型、燒結(jié)、表面處理等工藝而制成。圖1所示為其微觀結(jié)構(gòu)示意圖。從圖1(a)可以看出,壓敏電阻主要包含氧化鋅晶粒、晶界層、尖晶石晶粒以及空隙等微結(jié)構(gòu)。氧化鋅晶粒尺寸約為10~100μm,其電阻率很低,為良導(dǎo)體。晶界層由添加劑構(gòu)成,其將氧化鋅微粒隔開。尖晶石晶粒為氧化鋅與氧化銻的混合物,其尺寸約為幾微米,分布于晶界層。此外,壓敏電阻內(nèi)還存在一些微孔隙,分布在氧化鋅晶粒和晶界層內(nèi)。壓敏電阻的特性主要由晶界層特性決定。晶界層在低電場作用下,電阻率大于108Ω·m;而在高電場時(shí),晶界層呈現(xiàn)出隧道效應(yīng),即導(dǎo)通現(xiàn)象,將其兩側(cè)的氧化鋅晶粒電連接在一起,形成低阻抗,即為“微觀上的壓敏變阻體”。圖1(b)所示為壓敏電阻宏觀導(dǎo)通機(jī)制。如外界電場小,晶界層呈現(xiàn)高阻,從而使壓敏電阻對外也呈現(xiàn)高阻;當(dāng)外界電場足夠大時(shí),微觀上晶界層即導(dǎo)通,形成數(shù)量巨大的微觀上的壓敏變阻體,并且相互串聯(lián)或并聯(lián),使得整個(gè)壓敏電阻對外呈現(xiàn)很低的阻抗。
圖1 氧化鋅壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)示意圖
從上述壓敏電阻工作機(jī)理可容易看出,加大壓敏電阻面積,就可以增加微觀壓敏電阻體并聯(lián)數(shù)目,從而增加通流電流容量;加大壓敏電阻的厚度,就可以增加微觀壓敏電阻體串聯(lián)數(shù)目,從而增加鉗位電壓的水平;壓敏電阻的體積增大,則壓敏電阻所能吸收的瞬態(tài)過電壓的能量也會(huì)相應(yīng)增大。
低壓電氣、電子設(shè)備用的壓敏電阻與用于電力系統(tǒng)防雷的氧化鋅避雷器本質(zhì)上實(shí)際是相同的,兩者的基本組成材料是一樣的,主要區(qū)別就是結(jié)構(gòu)上對前述特性取舍的不同。氧化鋅避雷器安裝于高壓電網(wǎng),并可能會(huì)遭受大的雷擊電流,因此采用多個(gè)大直徑氧化鋅圓片累疊而成,體積大。壓敏電阻主要應(yīng)用于低壓設(shè)備,主要防感應(yīng)雷擊電涌的電流,因此主要為單一圓片,體積小。圖2所示為電力避雷器、圓形壓敏電阻以及壓敏電阻的電路符號(hào)。圖3所示為引線封裝、表面封裝、螺釘緊固等不同封裝形式的壓敏電阻。
圖2 壓敏電阻結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)
圖3 不同封裝形式的壓敏電阻
三、主要性能參數(shù)
壓敏電阻的保護(hù)特性可用圖4所示的伏安特性曲線進(jìn)行說明。圖(a)中可以看出,伏安特性曲線位于一、三象限,并且圍繞原點(diǎn)對稱。在第一象限,當(dāng)外加電壓幅值低于電壓值Vs時(shí),壓敏電阻的電流會(huì)遠(yuǎn)小于1mA,對外呈現(xiàn)阻斷狀態(tài);當(dāng)外加電壓高于Vs后,電流會(huì)迅速上升,壓敏電阻的電壓近似維持不變,即進(jìn)行電壓鉗位。當(dāng)外界過電壓方向反向時(shí),即在第三象限,壓敏電阻也會(huì)發(fā)生同樣過程。為更全面、細(xì)致地說明壓敏電阻的特性,圖(b)采用對數(shù)坐標(biāo)繪出了壓敏電阻在第一象限內(nèi)的伏安特性,可以看出,曲線實(shí)際上分為三段,電流小于1mA的部分,稱為漏電流區(qū),也即前述關(guān)斷區(qū),電阻可達(dá)1000MΩ;當(dāng)電流超過1mA后,隨電流迅速增加,電壓僅有小幅增加,即鉗位限壓區(qū),此時(shí),壓敏電阻呈現(xiàn)出很小的動(dòng)態(tài)電阻,壓敏電阻上的電壓增加量(一般稱為鉗位電壓)等于流過的電流乘以壓敏電阻的動(dòng)態(tài)阻;當(dāng)電流繼續(xù)增大,如超過20kA,則壓敏電阻的動(dòng)態(tài)電阻則又會(huì)大大增加,從而端電壓隨著電流而迅速增大,此時(shí),壓敏電阻因吸收大量功率而溫度迅速上升,從而進(jìn)入危險(xiǎn)的過電流區(qū)。正常情況下,應(yīng)使壓敏電阻工作在前兩個(gè)區(qū)段。
圖4 壓敏電阻的伏安特性曲線
根據(jù)以上特性,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用要求,壓敏電阻的主要技術(shù)參數(shù)如下。
(1)壓敏電壓
壓敏電壓為流過規(guī)定電流時(shí)壓敏電阻兩端的電壓。通常,對于直徑大于5mm的管芯,測試電流為1mA。直徑等于或小于5mm的管芯,測試電流為100μA。該參數(shù)實(shí)際即為壓敏電阻的起始導(dǎo)通電壓值。
(2)殘余電壓
殘余電壓為壓敏電阻在通過規(guī)定波形的電流(通常為8/20μs)時(shí),其兩端出現(xiàn)的峰值電壓。一般來講,峰值電壓也出現(xiàn)在電流的峰值處。
(3)殘壓比
壓敏電阻的殘余電壓與壓敏電壓的比值即殘壓比,一般為1.8~2.2。該參數(shù)可反映出壓敏電阻動(dòng)態(tài)電阻的變化范圍。
(4)最大持續(xù)工作電壓
壓敏電阻在規(guī)定的溫度范圍內(nèi),可以施加到其兩端的最大交流電壓有效值或直流電壓為最大持續(xù)工作電壓。壓敏電阻在該電壓下吸收雷擊電涌的能量所導(dǎo)致的溫升,會(huì)正常冷卻,不會(huì)發(fā)生熱擊穿。
(5)通流容量
按規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù),對壓敏電阻通以規(guī)定波形的電流(通常為8/20μs),其壓敏電壓仍在規(guī)定范圍內(nèi)時(shí)所允許通過的最大電流峰值為通流容量。如果雷擊電涌形成的沖擊電流大于通流容量值,則可能損壞壓敏電阻。
(6)能量容限
壓敏電阻在壓敏電壓變化不超過±10%時(shí),所允許流過的規(guī)定波形的一次沖擊電流所吸收的最大能量值為能量容限。很多壓敏電阻生產(chǎn)商采用IEC600060規(guī)定的2ms脈沖電流或10/1000μs脈沖電流進(jìn)行測試。
(7)寄生電容
由于晶界層很薄,壓敏電阻的極間存在較明顯的寄生電容。與氣體放電管相比,壓敏電阻的寄生電容要嚴(yán)重得多。壓敏電阻生產(chǎn)商通常測出1kHz或1MHz頻率時(shí)的電阻值,壓敏電阻管芯直徑越大,通流容量也會(huì)大,寄生電容也越大。
表1、表2列出了Littelfuse公司生產(chǎn)的幾種用于雷擊浪涌的壓敏電阻的特性參數(shù),表3則列出了用于ESD的壓敏電阻特性參數(shù)。通過這些參數(shù),讀者可以深入了解壓敏電阻的具體性能。
表1 小型表面貼裝壓敏電阻電氣參數(shù)
表2 圓形引線壓敏電阻電氣參數(shù)
表3 ESD保護(hù)用多層陶瓷壓敏電阻電氣參數(shù)