開(kāi)關(guān)電源里的各種電阻，都在這了！
R1,R2,R3,R4的放電電阻取值。IEC60950，IEC60065都有規(guī)定放電時(shí)間對(duì)應(yīng)放電電壓的。X電容超過(guò)0.1uF的話基本要加上這4個(gè)電阻了。IEC60950規(guī)定1s內(nèi)電壓需下降至37%，IEC60065規(guī)定2S內(nèi)電壓需降至35V。一般情況都是通過(guò)測(cè)試去判定，1S內(nèi)plug端的電壓(240VrmsX1.4.1=340Vpeak)下降到初始電壓的37%(125.8Vpeak)就pass了。至于采用4個(gè)組成2串2并，好像是有要求放電電阻有一個(gè)失效，也要能把X電容的電放掉。附參考圖：X電容為334/340V R1=R2=R3=R4=1.5M。放電時(shí)間與放電電壓波形如圖。
R1，R2，R3，R4一般采用0805的封裝精度采用5%。如果輸入是277的話，就要采用2并3串的方法了。（0805的耐壓?jiǎn)栴}）由于與待機(jī)功耗和PCB尺寸有關(guān)，所以很多公司都推出替代方案，取消X電容的泄放電阻，采用IC去放掉X電容的電。也有小功率的干脆不用X電容，也可以省掉幾個(gè)電阻，減小待機(jī)功耗，或者IC從這個(gè)位置取電，降低待機(jī)功耗。
對(duì)應(yīng)輸入特性里面的INRUSH CURRENT (Typ.) COLD START 45A（30A、60A等）功率型NTC熱敏電阻器在電路中抑制浪涌電流示意圖：
NTC有個(gè)B值，簡(jiǎn)單的話就是看下NTC在不同溫度下對(duì)應(yīng)的阻值。對(duì)于常用的 NTC 熱敏電阻， B 值范圍一般在 2000K ～ 6000K 之間。復(fù)雜點(diǎn)的就是按照里面的公式，計(jì)算溫度，一般按5%的誤差計(jì)算（溫度檢測(cè)用）。功率型的NTC精度應(yīng)該是20%左右的，B值很大，如5D-9,25℃的時(shí)候5Ω左右，高溫的時(shí)候估計(jì)就不到1Ω了。所以碰到過(guò)情況，客戶反饋說(shuō)老化后一段時(shí)間后，沖擊電流變大了，超標(biāo)了，又要解釋一番。相同阻值，不同B值的NTC熱敏電阻R-T特性曲線示意圖
NTC還有另外一個(gè)作用，雷擊的時(shí)候，可以吸收部分的能量。保險(xiǎn)絲的I2T會(huì)小些，保險(xiǎn)絲不至于掛掉，橋堆相應(yīng)的應(yīng)力小點(diǎn)。輸入電容小也可以不要NTC的，或者NTC的阻值可以取小些。只要保險(xiǎn)絲和橋堆能抗住冷啟動(dòng)瞬間的電流也沒(méi)大問(wèn)題。NTC在選擇時(shí)有個(gè)工作電流和工作溫度范圍，工作溫度范圍一般是-55-200℃。還有個(gè)參數(shù)是帶多大的輸出電容，有時(shí)候也要注意一下的。NTC還對(duì)應(yīng)了低溫的問(wèn)題，有的LED電源-40℃的時(shí)候90Vac起機(jī)閃燈。閃幾下就好了，有部分原因是NTC的值太大，還有部分情況是電解電容在低溫時(shí)的容值變小，ESR變化等原因。大功率的電路（高輸入電壓、高輸入電流）里面也會(huì)有NTC，或者是抑制沖擊電流的功率電阻，直流應(yīng)用中繼電器有時(shí)候也可以用可控硅或者IGBT什么的，如圖。
反激電源常用的就是LN之間14D471K，雷擊差模1kV，共模2kV就夠了。單極PFC的反激電源LN之間14D471K，有的還需要加個(gè)電解4.7-10uF左右的電容串聯(lián)二極管吸收掉雷擊的能量，保護(hù)MOSFET。差模2kV，共模4kV基本要加氣體放電管的。600A,或者1kA，2kA。看實(shí)際情況增加。14D471K的選擇264*1.414（峰值）*1.2=447.96V，470*0.9=423V，MOSFET=600V。由于470V有±10%精度問(wèn)題，加之壓敏電阻雷擊次數(shù)越多有個(gè)越打越薄的說(shuō)法。對(duì)于220V～240V交流電源防雷器，應(yīng)選用壓敏電壓為470V～620V的壓敏電阻較合適。選用壓敏電壓高一點(diǎn)的壓敏電阻，可以降低故障率，延長(zhǎng)使用壽命，但殘壓略有增大。壓敏電阻的選型還是有點(diǎn)偏向于公司的傳統(tǒng)使用方式。一般對(duì)壓敏電阻套上熱縮管，主要是防爆和阻燃的作用。因?yàn)閴好綦娮柙谑У臅r(shí)候可能會(huì)炸裂，碎片會(huì)蹦到其他電子元件上，還有就是冒火焰。有時(shí)打雷擊，共模電感下有放電針會(huì)放電，或者增加1個(gè)GDT對(duì)雷擊都有改善。如圖。
但是這個(gè)GDT在打初級(jí)次級(jí)耐壓的時(shí)候需要取消掉再打，要不打耐壓AC3000V的時(shí)候會(huì)過(guò)流報(bào)警。
一般使用經(jīng)驗(yàn)是0805耐壓不超過(guò)100V，如圖。實(shí)際應(yīng)用用也只有啟動(dòng)電阻、RCD吸收、RC吸收的時(shí)候電阻電壓可能超過(guò)100V。電阻最大電壓無(wú)論你是否相信，實(shí)際電阻都有一個(gè)能承受的最大電壓值。并且，這個(gè)值并不總是由功率消耗來(lái)限制決定的。電阻實(shí)際上可以被擊穿（打火）。在使用表面貼片電阻的場(chǎng)合，由于端點(diǎn)之間的間隔比較近，電壓限制問(wèn)題尤其嚴(yán)重。處理電壓?jiǎn)栴}時(shí)，比如說(shuō)100V電壓的電源，你會(huì)檢查發(fā)現(xiàn)，任何連接到高電壓的電阻都必須有耐壓的要求實(shí)用開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)第一篇 第三章 第二節(jié) 電阻 里面有講到超過(guò)100V需要考慮電阻耐壓?jiǎn)栴}。
電阻規(guī)格書(shū)中體現(xiàn)的不同封裝和系列對(duì)應(yīng)的電壓耐壓表格。貼片電阻的功率大部分設(shè)計(jì)的時(shí)候都不怎么考慮，信號(hào)部分處理基本是采用0603的電阻。帶吸收的部分采用0805或者1206的電阻，功率大點(diǎn)的情況一般采用插件電阻和水泥電阻。由于電阻的工作溫度范圍一般是-55℃-125℃或者-55℃-155攝氏度，一般設(shè)計(jì)時(shí)，功率不超過(guò)該電阻功率檔位的1/4。（電阻溫度很高運(yùn)行的情況下超限值使用會(huì)加速電阻老化，然后阻值變大或者失效，時(shí)間大概是1-3年左右出現(xiàn)問(wèn)題。）
溫度對(duì)應(yīng)電阻的功率曲線。溫度越高，電阻能用到的功率越小。所以一般工業(yè)類(lèi)電源設(shè)計(jì)和LED電源設(shè)計(jì)里面要滿足60℃以上的環(huán)境溫度，電阻在功率部分留的余量更大。
輸出電壓變化范圍寬的情況下，需要增加VCC的輔助繞組供電?；蛘逫C的VCC供電范圍比較窄，要滿足輕載、重載以及起機(jī)的情況。
IC的VCC范圍比較寬，直接采用VCC繞組整流后串聯(lián)個(gè)電阻使用。R7的用法一般有的用電阻，有的可以用磁珠。電壓電流范圍比較寬的話，R7用插件電阻，在大電流時(shí)和高壓是能幫IC減小點(diǎn)電壓。R7還有個(gè)用處是在切載的時(shí)候能吸收掉VCC的尖峰，避免切載時(shí)IC的VCC過(guò)高保護(hù)。R8的取值，ZD1是15V，Q1進(jìn)來(lái)的電壓是20V，直流放大增益按照40倍（hef一般是50-300,40是留余量的算法）來(lái)算。IC工作電流為10mA，R8=（20V-15V）/（10mA/40倍）=20kΩ。
整改EMC時(shí)調(diào)整R9，R13。
R19，R13一般采用0805，MOSFET電流較大的話采用1206，并且取消掉D3。R10，小功率的情況可以用幾個(gè)0805或者1206并聯(lián)，大功率情況下，如果電流很大，電阻上的電感對(duì)檢測(cè)電路影響很大，容易出現(xiàn)批量問(wèn)題，用繞線無(wú)感電阻比較靠譜。電流再大的情況就要打算用電流傳感器。驅(qū)動(dòng)部分也要換專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)芯片或者采用一對(duì)三極管來(lái)做驅(qū)動(dòng)。
RCD電路，里面的R選值，基本按照功率來(lái)選了，電源功率越大，R的功率相對(duì)越大。RCD吸收電路里面的電壓尖峰，這些尖峰基本上是開(kāi)關(guān)管高dV/dt和dI/dt時(shí)候出現(xiàn)的。反激里面會(huì)用到，大功率的全橋電路里面也會(huì)用到。RCD在調(diào)整輻射的時(shí)候，電阻對(duì)輻射影響還是有點(diǎn)關(guān)系的。關(guān)于取值的計(jì)算，沒(méi)有相應(yīng)的公式來(lái)計(jì)算，慚愧了，基本上都是拍腦袋后，通過(guò)極限值測(cè)試后再定的。
431部分的電阻選擇參考。
R4一般需要保證D1能有10mA左右的電流。R2一般保證有1mA左右的電流，用1k-5k左右的值，阻值太大，流經(jīng)的電流小了，易被干擾，阻值太小，流經(jīng)的電流大了，待機(jī)損耗又浪費(fèi)了。R3一般需要配合C1一起調(diào)試。習(xí)慣性的用10k+103。R6一般采用1k左右的電阻，提供D1的電流情況下，不怎么影響Q1。R4一般需要保證D1能有10mA左右的電流，如何理解？如Vout=12V，則R4可以選取820Ω電阻，R4上面的電壓≈12-1V（光耦）-2.5（基準(zhǔn)）=8.5V。極限情況下：當(dāng)電壓超過(guò)12V時(shí)，431兩端的電壓可以很小，如2.5V以下，則光耦上會(huì)有10mA電流，初級(jí)的FB被很快拉低，PWM占空比很快變小。當(dāng)電壓低于12V時(shí)，431兩端的電壓可以很大，接近12V，則光耦上沒(méi)有電流經(jīng)過(guò)，初級(jí)FB電壓未被拉低，則初級(jí)PWM的占空比會(huì)增加。這個(gè)電阻可以調(diào)節(jié)輸出電壓過(guò)沖，和負(fù)載突變時(shí)的輸出電壓變化值。10mA為參考值，不同的電路需要調(diào)節(jié)R4的值。
