5.3.6 HFSS 電壓源激勵(lì)、電流源激勵(lì)和磁偏置激勵(lì)

    5.3.6 電壓源激勵(lì)

    電壓源激勵(lì)（Voltage…）是定義在兩層導(dǎo)體之間的平面上，用理想電壓源來(lái)表示該平面上的電場(chǎng)激勵(lì)。定義電壓源激勵(lì)時(shí)，需要設(shè)置的參數(shù)有電壓的幅度、相位和電場(chǎng)的方向，如圖5.43 所示。

圖 5.43 電壓源激勵(lì)設(shè)置對(duì)話(huà)框

     在使用電壓源激勵(lì)時(shí)，用戶(hù)需要注意以下兩點(diǎn)。

    （1）電壓源激勵(lì)所在的平面必須遠(yuǎn)小于工作波長(zhǎng)，且平面上的電場(chǎng)是恒定電場(chǎng)。

    （2）電壓源激勵(lì)是理想的源，沒(méi)有內(nèi)阻，因此后處理時(shí)不會(huì)輸出 S 參數(shù)。

    5.3.7 電流源激勵(lì)

    電流源激勵(lì)（Current…）定義于導(dǎo)體表面或者導(dǎo)體表面的縫隙上，需要設(shè)定的參數(shù)有導(dǎo)體表面/縫隙的電流幅度、相位和方向，如圖 5.44 所示。

圖 5.44  電流源激勵(lì)對(duì)話(huà)框

    和電壓源激勵(lì)一樣，在使用電流源激勵(lì)時(shí)，用戶(hù)也需要注意以下兩點(diǎn)。

    （1）電流源激勵(lì)所在的平面/縫隙必須遠(yuǎn)小于工作波長(zhǎng)，且平面/縫隙上的電流是恒定的。

   （2）電流源激勵(lì)是理想的源，沒(méi)有內(nèi)阻，因此后處理時(shí)不會(huì)輸出 S 參數(shù)。

    5.3.8 磁偏置激勵(lì)

    當(dāng) HFSS 設(shè)計(jì)中使用到鐵氧體材料時(shí)，需要通過(guò)設(shè)置磁偏置激勵(lì)（Magnetic Bias…）來(lái)定義鐵氧體材料網(wǎng)格的內(nèi)部偏置場(chǎng)；該偏置場(chǎng)使鐵氧體中的磁性偶極子規(guī)則排列，產(chǎn)生一個(gè)非零的磁矩。如果應(yīng)用的偏置場(chǎng)是均勻的，張量坐標(biāo)系可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)全局坐標(biāo)系來(lái)設(shè)置；如果應(yīng)用的偏置場(chǎng)是非均勻的，不允許旋轉(zhuǎn)全局坐標(biāo)來(lái)設(shè)置張量坐標(biāo)系。均勻偏置場(chǎng)的參數(shù)可 以由 HFSS 直接輸入，而非均勻偏置場(chǎng)的參數(shù)需要從其他的靜磁求解器（如 Ansoft Maxwell 3D 軟件）導(dǎo)入。