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5.3.6 HFSS 電壓源激勵(lì)、電流源激勵(lì)和磁偏置激勵(lì)
5.3.6 電壓源激勵(lì)
電壓源激勵(lì)(Voltage…)是定義在兩層導(dǎo)體之間的平面上,用理想電壓源來(lái)表示該平面上的電場(chǎng)激勵(lì)。定義電壓源激勵(lì)時(shí),需要設(shè)置的參數(shù)有電壓的幅度、相位和電場(chǎng)的方向,如圖5.43 所示。
圖 5.43 電壓源激勵(lì)設(shè)置對(duì)話(huà)框
在使用電壓源激勵(lì)時(shí),用戶(hù)需要注意以下兩點(diǎn)。
(1)電壓源激勵(lì)所在的平面必須遠(yuǎn)小于工作波長(zhǎng),且平面上的電場(chǎng)是恒定電場(chǎng)。
(2)電壓源激勵(lì)是理想的源,沒(méi)有內(nèi)阻,因此后處理時(shí)不會(huì)輸出 S 參數(shù)。
5.3.7 電流源激勵(lì)
電流源激勵(lì)(Current…)定義于導(dǎo)體表面或者導(dǎo)體表面的縫隙上,需要設(shè)定的參數(shù)有導(dǎo)體表面/縫隙的電流幅度、相位和方向,如圖 5.44 所示。
圖 5.44 電流源激勵(lì)對(duì)話(huà)框
和電壓源激勵(lì)一樣,在使用電流源激勵(lì)時(shí),用戶(hù)也需要注意以下兩點(diǎn)。
(1)電流源激勵(lì)所在的平面/縫隙必須遠(yuǎn)小于工作波長(zhǎng),且平面/縫隙上的電流是恒定的。
(2)電流源激勵(lì)是理想的源,沒(méi)有內(nèi)阻,因此后處理時(shí)不會(huì)輸出 S 參數(shù)。
5.3.8 磁偏置激勵(lì)
當(dāng) HFSS 設(shè)計(jì)中使用到鐵氧體材料時(shí),需要通過(guò)設(shè)置磁偏置激勵(lì)(Magnetic Bias…)來(lái)定義鐵氧體材料網(wǎng)格的內(nèi)部偏置場(chǎng);該偏置場(chǎng)使鐵氧體中的磁性偶極子規(guī)則排列,產(chǎn)生一個(gè)非零的磁矩。如果應(yīng)用的偏置場(chǎng)是均勻的,張量坐標(biāo)系可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)全局坐標(biāo)系來(lái)設(shè)置;如果應(yīng)用的偏置場(chǎng)是非均勻的,不允許旋轉(zhuǎn)全局坐標(biāo)來(lái)設(shè)置張量坐標(biāo)系。均勻偏置場(chǎng)的參數(shù)可 以由 HFSS 直接輸入,而非均勻偏置場(chǎng)的參數(shù)需要從其他的靜磁求解器(如 Ansoft Maxwell 3D 軟件)導(dǎo)入。
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