CST MWS微帶轉(zhuǎn)波導(dǎo)求助
我用CST建了一個微帶轉(zhuǎn)波導(dǎo)的模型，可是總是提示微帶端口的模式問題，請問微帶模式是怎么劃分的，我記得只有一種模式啊，大家?guī)臀铱纯从惺裁磫栴}
RAR文件……等別人吧，我是幫不了你了。
只能回復(fù)壓縮文件啊，您幫我看看吧
仿了一下，沒啥報錯啊。全ka band 都在-15dB以下。
to hefang，把我的附件.rar改成.cst就行了。
樓主想說的應(yīng)該是這個提示信息：
這是因為仿真頻段內(nèi)端口1引入了高次模，需要至少兩個模式才能取消這個提示信息。
端口1基模的電場分布：
端口1高次模的電場分布：
端口2的電場分布：
仿真得到的S參數(shù)：
基模的S參數(shù)：
題外：網(wǎng)格參數(shù)還需要調(diào)整，運行Energy based adaptive mesh refinement得到的S參數(shù)變化還挺大，說明網(wǎng)格劃分還有很大的優(yōu)化空間。
高次模是不是由于加上屏蔽盒的原因啊，因為我使用的是電邊界，所以導(dǎo)致高次模的產(chǎn)生呢？如何去消除高次模的影響呢？謝謝
仿真的時候還會提示結(jié)構(gòu)中有損耗材料或者結(jié)構(gòu)有損耗，兩端口是互易的會導(dǎo)致結(jié)果的不準確，是什么原因呢？
關(guān)于上面的問題，請善用軟件的幫助文件。
CST MWS幫助文件《Waveguide Port Overview》：
Inhomogeneous Waveguide Ports (Special Treatment) -> Microstrip Lines / Coplanar Lines (QTEM Modes)
General Information -> Losses in Waveguide Ports
不知道你實際模型里面有沒有電邊界？沒有的話就應(yīng)該沒有這個高次模?；蛘叨丝谧銐虼?，高次模影響可以忽略。
我最近也在搞微帶轉(zhuǎn)波導(dǎo)
