CST MWS仿真超材料的S11
仿真的單元結(jié)構(gòu)如圖所示。我希望模擬“微波照射到超材料結(jié)構(gòu)上”的情形,并得到其S11。是不是port面上用的邊界條件是open(add space),請(qǐng)問另外橫向的四個(gè)面用什么樣的邊界條件?理想磁邊界和電邊界使用有什么樣的講究呢。
此外除了得到S11 的dB曲線之外,我還想得到S11的調(diào)制相位。因?yàn)閜ort距離超結(jié)構(gòu)材料有一定距離,在1D result里面的相位包含了行進(jìn)中的相位,如何能夠減去背景呢。
另外,port入射和平面波入射有什么區(qū)別,我如何能夠做一個(gè)變角度入射的模擬,并且能夠得到S11參數(shù)?因?yàn)槊菜破矫娌ㄈ肷洌m然可以調(diào)整入射角)不能得到S11參數(shù)。謝謝。
CST仿真FSS最好用頻域求解器,四個(gè)面邊界設(shè)置unit cell邊界,另外兩個(gè)是open add space 激勵(lì)用floquet modes來做,我最近最近過跟樓主一樣的東西,有興趣留下郵箱給我,發(fā)你我設(shè)計(jì)的文件。
如果用時(shí)域求解器,記得把邊界條件設(shè)置成periodic,因?yàn)闀r(shí)域T不支持UC邊界
如果想斜入射的話至于改變平面波設(shè)置中的傳播矢量,記得設(shè)置好電場(chǎng)極化方向。
另樓主的模型是帶阻形式的,可以設(shè)置不同頻率下的電場(chǎng)監(jiān)視器,能很明顯的看出透波特性。
你好,我是初學(xué)者,我也有類似的問題想咨詢。
343487178@qq.com
電場(chǎng) 極化方向是在哪設(shè)置的
如果是UC邊界條件,則需要使用邊界自帶的Zmin、Zmax端口,可以通過改變激勵(lì)模式來設(shè)置。
如果使用平面波激勵(lì),則在定義平面波時(shí)即可以設(shè)置了
我是用的邊界自帶的Zmin、Zmax端口,可以詳細(xì)說一下嗎?
是在這里設(shè)置嗎嗎?謝謝