關(guān)于HFSS做微帶陣列設(shè)計(jì) 的問(wèn)題
最近在做微帶陣列，有一些問(wèn)題，請(qǐng)教一下大蝦們
1.介質(zhì)板的材料和厚度如何確定
這個(gè)問(wèn)題上查到的都是一些泛泛的說(shuō)法，增大厚度會(huì)增加帶寬但同時(shí)輻射效率下降，介電常數(shù)和厚度同時(shí)也影響微帶線尺寸。。我現(xiàn)在是參閱文獻(xiàn)進(jìn)行選擇的，工作頻率為4G，選擇1mm厚度，2.55的介質(zhì)板。16元陣的增益有18.5，還算可以吧。
只是這個(gè)介質(zhì)材料的選擇還是很糾結(jié)，有沒(méi)有如何選擇的正解啊。我現(xiàn)在在采用縫隙饋電來(lái)展寬帶寬，這同樣面臨介質(zhì)板的選擇，同時(shí)還要選幾個(gè)，怎么搞啊。。高手來(lái)講講
2.微帶線輸入阻抗怎么看
我看仿真實(shí)例的時(shí)候采用PER-H邊界。。設(shè)置也有些詭異，仿出來(lái)的結(jié)果還比較靠譜。但是按照我平時(shí)的仿法，設(shè)RAD，用waveport，仿出來(lái)的阻抗完全不對(duì)。。
所以，這個(gè)阻抗怎么彷，怎么看
3。port
其實(shí)這個(gè)問(wèn)題我糾結(jié)很久了。。微帶一般用waveport饋電吧，那當(dāng)它是50歐？所以一般與port連接的微帶線都采用50歐的，現(xiàn)在弄出來(lái)基本對(duì)，但還是想搞清楚一下.用waveport和lumpedport仿出來(lái)還是有些差別的。
4.mesh的設(shè)置。
我仿微帶陣還有個(gè)很大的問(wèn)題。收斂慢。開(kāi)始設(shè)置個(gè)虛擬邊界。后來(lái)做了mesh的設(shè)置要快一些。。請(qǐng)問(wèn)各位大蝦們，用hfss仿微帶的時(shí)候一般采用些什么設(shè)置可以提高速度，減小計(jì)算量呢。。因?yàn)槲矣霉ぷ髡舅愣冀?jīng)常out of memory。
這些是現(xiàn)在想到的問(wèn)題。。達(dá)人們請(qǐng)不寧賜教。。小妹感激不盡
雜沒(méi)人搭理我
這樣吧，我把你的帖子移到HFSS交流版去，以利于樓主問(wèn)題的解決
1.介質(zhì)板的材料和厚度如何確定
這要根據(jù)微帶板廠商能提供的微帶板情況而定，你要兼顧帶寬和效率，實(shí)際上是矛盾的，故不要強(qiáng)求某一個(gè)指標(biāo)，折中即可。你說(shuō)的耦合饋電問(wèn)題，我認(rèn)為選擇一樣的介質(zhì)最方便，且不同材料硬度啊，強(qiáng)度不同，實(shí)際加工出來(lái)可能不一致。我以前做過(guò)一個(gè)8X8的耦合微帶陣，3層介質(zhì)，就是選取一樣的介質(zhì)，帶寬很寬。
2.微帶線阻抗問(wèn)題
微帶線的阻抗可以先通過(guò)編程或者仿真算下，有個(gè)小軟件我忘記什么名字了，算出來(lái)的和實(shí)際差別不大，你可以先用他算一下大概的，然后仿真的時(shí)候看下端口阻抗，再調(diào)節(jié)也很快的。
用waveport看阻抗也是比較準(zhǔn)的.不知道樓主為什么說(shuō)看的不靠鋪
至于板子的選擇,大多數(shù)的情況下是可以有多種選擇的.一般盡可能不要選擇介電常數(shù)過(guò)高的板子,至于厚度.還是要根據(jù)具體的要求算一下,不過(guò)一般問(wèn)題不大.
但是我看文獻(xiàn)的話一般耦合饋電幾層介質(zhì)要求不同。。
csfcc081 你的介質(zhì)層選的介電常數(shù)和厚度是多少呢，應(yīng)該每層厚度有區(qū)別的吧。這個(gè)怎么取定呢。有的是要在中間加空氣層。
三層的話應(yīng)該是有兩個(gè)貼片了？那我問(wèn)一下，對(duì)于下層貼片側(cè)饋它的輸入阻抗算法應(yīng)該是跟單層的一樣塞？就是用50與ZIN中間加個(gè)lanbta/4匹配。。
另外耦合饋電的饋電線就選50？我看一般都是對(duì)稱的中心饋電，怎么可能剛好與50匹配。。如果用調(diào)節(jié)W來(lái)調(diào)節(jié)天線的阻抗我的端口阻抗看不準(zhǔn)又是一個(gè)大問(wèn)題。。
微帶線的阻抗我會(huì)算，但是不知為什么我仿出來(lái)差別很大，用的也是waveport。
阻抗問(wèn)題解決老
這個(gè)還是得慢慢摸哈。都是時(shí)間的積累
不錯(cuò) 很好 謝謝
