畢業(yè)設(shè)計(jì)中遇到問(wèn)題,設(shè)計(jì)RF MEMS開(kāi)關(guān),求助
按照附件中設(shè)計(jì)步驟出現(xiàn)了下列錯(cuò)誤提示: [error] Initial mesh, process mesh3d : Error while opening or writing the mesh files. (7:32 AM 五月 16, 2007)
[error] Simulation completed with execution error on server: Local Machine. (7:32 AM 五月 16, 2007)
請(qǐng)問(wèn)應(yīng)如何解決.
我使用的是HFSS10.0,在邊界設(shè)置中共面波導(dǎo)CPW中兩側(cè)地線應(yīng)該如何設(shè)置？網(wǎng)格劃分是否不用設(shè)置？謝謝！
這份資料真是太好了，非常感謝樓主。
但對(duì)于具體建模，我還是感到無(wú)從下手，特別是這種開(kāi)關(guān)狀態(tài)怎么設(shè)置，是不是分兩次仿真？但是在關(guān)態(tài)下，還要加個(gè)電源？（HFSS怎么加？）如果可以的話(huà)，樓主把你具體的仿真模型發(fā)我們一份，非常感謝！
你提到的第一個(gè)問(wèn)題其實(shí)問(wèn)題不大，是不是把原先的文件delete了？
CPW兩側(cè)的地線就設(shè)置pec，不用作額外的設(shè)置吧
仿真過(guò)程是分"開(kāi)"和"關(guān)"兩次仿真,關(guān)態(tài)是外加一直流電壓,產(chǎn)生靜電力使上層金屬膜下拉,是微帶線電容增大.我利用HFSS建立的HF MEMS開(kāi)關(guān)模型在下面附件中.感謝指點(diǎn).
CPW的地我設(shè)置的材料是金,我想問(wèn)的是:在邊界設(shè)置的過(guò)程中是否所有的金屬都設(shè)定為理想E面？而下面的設(shè)置是否要在無(wú)限地平面前打上鉤呢？使其設(shè)定為無(wú)限地平面？
我的信號(hào)端口在我的建模中應(yīng)如何設(shè)置？網(wǎng)格劃分是否不用設(shè)置,直接默認(rèn)？
我沒(méi)做過(guò)RF仿真，不過(guò)樓主的網(wǎng)格初始化問(wèn)題也遇到過(guò)，一般是由于建模過(guò)程中尺寸比例過(guò)大引起的，比如出現(xiàn)特細(xì)特薄的三維模型?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)整尺寸比例或用二維邊界代替原三維模型等方法予以修正。
一般情況下，可以把邊界條件設(shè)置成都設(shè)置成pec，這樣對(duì)結(jié)果影響不會(huì)是很大，如果你覺(jué)得有偏差的話(huà)，也可以設(shè)置成別的金屬，像有時(shí)可以把微帶線設(shè)置成Copper或是別的有耗材料。無(wú)限大平面可以不打勾，當(dāng)然你的基板設(shè)置成了足夠大了。關(guān)于CPW的端口設(shè)置，可以按照f(shuō)ullbook上設(shè)置成lumpport，（但我以前試了下，當(dāng)中間導(dǎo)帶比較寬時(shí)，算出來(lái)不準(zhǔn)確），也可以設(shè)置成waveport，具體看附近中的文獻(xiàn)。關(guān)于網(wǎng)格剖分多少，因?yàn)槲覜](méi)有仿真過(guò)這方面的東西，也不好說(shuō)什么，不好意思。
這是我的仿真結(jié)果，請(qǐng)樓主點(diǎn)評(píng)下，另外一種狀態(tài)怎么辦？如何加電源？
我的設(shè)計(jì)課題主要是仿真開(kāi)關(guān)在無(wú)直流偏置電壓時(shí)Ka波段開(kāi)關(guān)的插入損耗和在一定支流偏置電壓下開(kāi)關(guān)的隔離度.我建立的模型是將中心頻率設(shè)置在30GHZ,在5GHZ40GHZ的仿真過(guò)程.請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)結(jié)果說(shuō)明插入損耗.直流偏壓好象應(yīng)該加在上下表面吧
