CST仿真反射型超材料采用平面波激勵、周期邊界條件，無法得到S參數(shù)問題

最近對一篇論文中結(jié)構(gòu)進行仿真復(fù)現(xiàn)，但是按照論文的設(shè)置，在x，y方向的邊界條件為周期，激勵選擇的是平面波，自己給Zmin設(shè)置了電壁，但是這樣設(shè)置后是沒有S參數(shù)的，就沒法計算反射率，自己強行給加了離散端口后，仿真直接報錯了。求大佬解答！
參考文獻：[1]. Ding, F., S. Zhong and S.I. Bozhevolnyi, Vanadium Dioxide Integrated Metasurfaces with Switchable Functionalities at Terahertz Frequencies. Advanced Optical Materials, 2018. 6(9): p. 1701204-n/a.

周期邊界就得對應(yīng)弗洛凱端口，你設(shè)個離散端口自然會出現(xiàn)錯誤，還有，你開始設(shè)置的激勵為平面波是論文要求的嗎?

設(shè)置的激勵為平面波是論文里的要求，我的設(shè)置都是按照論文里來的。我現(xiàn)在還有一個問題是，我選擇模板的時候有一個計算反射率、透過率和吸收率的選項，我在這個選項前打上了勾，但是這個的計算結(jié)果在哪里呢?

設(shè)置Unit Cell邊界，跟平面波是一樣的，介紹個快捷方法： Example里面有個FSS的例子，把例子打開，啥設(shè)置都能參考。

你好 我想問下3樓說HFSS的例子在哪里 有沒有鏈接